台媒:为提升良率,英伟达RTX50显卡推迟上市
⭐发布日期:2024年09月30日 | 来源:天成说游
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芯片尺寸扩大可提高处理能力,但同时也考验厂商的芯片制造能力。据台湾《工商时报》9月3日援引法人消息报道,由于GPU晶粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数(CTE)相异,易导致芯片翘曲、系统故障,所以为了提升良率,英伟达重新设计GPU芯片顶部金属层和凸点。不只是AI芯片RTO(重新流片)修改设计,据供应链透露,目前准备发布的50系列的显卡也需要RTO,上市时间较原计划延期。
台湾《工商时报》此前于8月25日报道称,从业者估计,英伟达两年一度大改款的下一代RTX 50(名称型号未定)系列,虽然有望在第四季底前揭露消息,但新品上市的日期预计将晚至明年第一季度之后,各显卡厂新品放量日期也将推延至明年第二季度左右。
关于AI芯片Blackwell,英伟达CEO黄仁勋称其有“非常非常大的GPU”,这也是目前业界面积最大的GPU,由两颗Blackwell芯片拼接而成,并采用台积电4纳米制程,拥有2080亿个晶体管,然而难免遇到封装方式过于复杂的问题。
据介绍,CoWoS-L封装技术,使用LSI(本地硅互连)桥接RDL(硅中介层)连接晶粒,传输速度可达10/TBs左右。但封装步骤中,由于桥接放置精度要求极高,稍有缺陷都可能导致价值4万美元的芯片报废,从而影响良率及获利。
台媒报道称,相关的芯片设计问题将不会只是英伟达所独有。供应链透露,这类问题只会越来越多,为了消除缺陷或为提高良率而变更芯片设计,在业内相当常见。
AMD首席执行官苏姿丰曾透露,随着芯片尺寸不断扩大,制造复杂度将不可避免地增加。下一代芯片需要在效能和功耗方面取得突破,才能满足AI数据中心对算力的巨大需求。
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李迦瑜
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4秒前:据介绍,CoWoS-L封装技术,使用LSI(本地硅互连)桥接RDL(硅中介层)连接晶粒,传输速度可达10/TBs左右。
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8秒前:AMD首席执行官苏姿丰曾透露,随着芯片尺寸不断扩大,制造复杂度将不可避免地增加。
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